|
|
|
Глава 16. Электрический ток в различных средах
§ 110. Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимости (окончание)Примесная проводимость. Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как мало число свободных электронов: например, в германии при комнатной температуре nе = 3 • 1013 см-3. В то же время число атомов германия в 1 см3 порядка 1023. Таким образом, число свободных электронов составляет примерно одну десятимиллиардную часть от общего числа атомов. Проводимость полупроводников можно существенно увеличить, внедряя в них примесь. В этом случае наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная — примесная проводимость.
Донорные примеси. Добавим в кремний небольшое количество мышьяка. Атомы мышьяка имеют пять валентных электронов. Четыре из них участвуют в создании ковалентной связи данного атома с окружающими атомами кремния. Пятый валентный электрон оказывается слабо связанным с атомом. Он легко покидает атом мышьяка и становится свободным (рис. 16.8). При добавлении одной десятимиллионной доли атомов мышьяка концентрация свободных электронов становится равной 1016 см-3. Это в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике.
Свободные электроны перемещаются по полупроводнику подобно тому, как перемещаются свободные электроны в металле.
Акцепторные примеси. Если в качестве примеси использовать индий, атомы которого трёхвалентны, то характер проводимости полупроводника меняется. Для образования нормальных парноэлектронных связей с соседями атому индия недостаёт одного электрона, который он берёт у соседнего атома кристалла. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси (рис. 16.9).
При наличии электрического поля дырки перемещаются направленно и возникает электрический ток, обусловленный дырочной проводимостью.
Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно создавать полупроводники с преимущественной концентрацией одного из носителей тока электронов или дырок. Эта особенность полупроводников открывает широкие возможности для их практического применения.
Вопросы к параграфу 1. Какую связь называют ковалентной? 2. В чём состоит различие зависимости сопротивления полупроводников и металлов от температуры? 3. Какие подвижные носители зарядов имеются в чистом полупроводнике? 4. Что происходит при встрече электрона с дыркой? 5. Почему сопротивление полупроводников сильно зависит от наличия примесей? 6. Какие носители заряда являются основными в полупроводнике с акцепторной примесью? 7. Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? <<< К началу параграфа Следующая страница >>>
|
|
|